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    樣品衍射數(shù)據(jù)及基準(zhǔn)圖譜(pdf卡片2-1078)數(shù)據(jù)對(duì)比見表1。因此，gan材料在制備高溫，高頻，大功率元件對(duì)及光存儲(chǔ)，光探測(cè)等方面有著廣泛使用遠(yuǎn)景。另外，gan還具有優(yōu)良熱不亂性，化學(xué)不亂性與高熱導(dǎo)率，高擊穿電壓，高電子飽與速度等特性。在管式爐中部，沿氣流方向，依次放置ga2o3與襯底，二者相距5cm。

    x射線衍射數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)在y-4q型x射線衍射儀上完成。 樞紐詞：氮化鎵；ga2o3；氨氣中圖種別名：tn304．23 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：a 文章編號(hào)：1671-4776(2003)10-0027-03

    氮化鎵是一種優(yōu)秀寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4ev。在500-4000cm-1范圍內(nèi)掃描。對(duì)上研究說明使用氮化ga2o3方法，成功地在si襯底上合成了高質(zhì)量gan晶體顆粒。 2 實(shí) 驗(yàn)

    數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)對(duì)ga2o3為ga源，nh3為n源，通過氮化說明合成gan晶粒。數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)環(huán)境為：cu靶，ni濾波片，雙soller準(zhǔn)直系統(tǒng)，λkα=0． 154178nm狹縫系統(tǒng)為1°-1°-0．2mm，正比計(jì)數(shù)器，用si標(biāo)樣校準(zhǔn)儀器。作為良好光電半導(dǎo)體材料，gan在短波長(zhǎng)光電元件領(lǐng)域(如藍(lán)綠光發(fā)光管led，激光器id)及紫外波段探測(cè)器箱式爐研究成果方面?zhèn)涫苷昜1-3]。但上述方法設(shè)備昂貴，工藝方法復(fù)雜，影響了gan基半導(dǎo)體光電元件大規(guī)模出產(chǎn)與使用，探索一種簡(jiǎn)易合成gan材料工藝方法已十分必要。

    海內(nèi)外良多研究成果機(jī)構(gòu)采用金屬有機(jī)物質(zhì)汽相外延(mocvd)[4]，分子束外延(mbe)[5]及高頻等離子體化學(xué)汽相沉積(plasma cvd)[6]技術(shù)信息等在不同襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量gan薄膜。數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)中所用ga2o3與氨氣純度為99．999％，襯底為<111>晶向硅片，管式電爐在數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)的前襯底使用基準(zhǔn)程序進(jìn)行清洗。

。本文使用氮化ga2o3方法，在管式電爐中成功地合成了高質(zhì)量多晶gan顆粒，探索了一種低本錢制備gan材料新工藝。

    樣品形貌與構(gòu)造使用hitachi(tokyo，japan)h-800透射電鏡(tem)進(jìn)行表征。結(jié)果表明，用管式電爐合成gan為多晶體，屬六方晶系。箱式電爐氮化時(shí)，管式電爐溫度控制在1000℃；流量為400ml／min；時(shí)間為3h。圖1說明，si襯底上天生產(chǎn)物為gan，純度很高，為多晶體，后六方晶系(hexagonal)，晶格常數(shù)為ao=0．3186am，bo=0．3186am，co=0．5178nm，對(duì)ga2o3為ga源，氨氣(nh3)為n源，通過氮化說明合成了高質(zhì)量gan晶粒。